MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)500v 5A 1.5Ω管 產(chǎn)品型號(hào)：PSxOSNSO

注解：例如，200V_9A_（0.3~0.25）Ω_16nc_670pF

1、200V為MOS額定電壓；

2、9A為MOS額定電流；

3、（0.3~0.25）Ω為MOS阻值范圍；

4、16nc為MOS柵極電荷Qg；

5、670pF為Ciss寄生電容；

封裝類(lèi)型

TO220 TO220F TO251 TO252 TO262 TO3P TO247

產(chǎn)品應(yīng)用

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛， 涵蓋電子類(lèi)多個(gè)領(lǐng)域， 如消費(fèi)電子、智能家居、智能照明、工控設(shè)備、電動(dòng)汽車(chē)等；

相關(guān)知識(shí)

1、Ciss寄生電容，最大限度降低開(kāi)關(guān)損耗，提高轉(zhuǎn)換效率，另外極低的寄生電容能夠有效改善EMI電磁干擾。

2、RDSON為內(nèi)阻，作為開(kāi)關(guān)電源的主開(kāi)關(guān)MOS，以上都能能夠滿足大部分的應(yīng)用需求。

3、Qg(柵極電荷):柵極電荷Qg是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷，是指MOS開(kāi)關(guān)完全打開(kāi)，Gate極所需要的電荷量。

4、Vth通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓.在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。